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HBM 關(guān)鍵字列表
產(chǎn)業(yè)丨AI半導體熱潮中升溫，SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星

產(chǎn)業(yè)丨AI半導體熱潮中升溫，SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星

當前，英偉達的GPU終于確立了HBM技術(shù)的領(lǐng)先地位，整個行業(yè)正緊隨其后，加速HBM技術(shù)的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中，時間等同于生命，任何落后都可能導致被淘汰的命運。在HBM技術(shù)發(fā)展的道路上，一場無形的較量正在激烈進行，同時也標志著芯片市場競爭格局的重新塑造。

聚焦下一代高性能內(nèi)存技術(shù) Rambus多舉措加速HBM落地

聚焦下一代高性能內(nèi)存技術(shù) Rambus多舉措加速HBM落地

Rambus半導體IP產(chǎn)品管理總監(jiān)Nidish Kamath在接受至頂網(wǎng)獨家專訪時表示，由于AI、機器學習和高性能計算應(yīng)用的普及，越來越需要HBM等高帶寬、低延遲的內(nèi)存解決方案。

預判數(shù)據(jù)中心內(nèi)存市場將迎來繁榮，美光正積極著手準備

預判數(shù)據(jù)中心內(nèi)存市場將迎來繁榮，美光正積極著手準備

如果不喜歡大起大落、驚心動魄，折磨得人夜不能寐的繁榮蕭條更迭周期，那請大家千萬不要涉足內(nèi)存業(yè)務(wù)。

高性能GPU服務(wù)器硬件拓撲與集群組網(wǎng)

高性能GPU服務(wù)器硬件拓撲與集群組網(wǎng)

一些 GPU 廠商（不是只有 NVIDIA 一家這么做）將將多個 DDR 芯片堆疊之后與 GPU 封裝到一起 （后文講到 H100 時有圖），這樣每片 GPU 和它自己的顯存交互時，就不用再去 PCIe 交換芯片繞一圈，速度最高可以提升一個量級。這種“高帶寬內(nèi)存”（High Bandwidth Memory）縮寫就是 HBM。

HBM研究框架：突破“內(nèi)存墻”，封裝新突破

HBM技術(shù)通過提升I/O口數(shù)量和速率，突破內(nèi)存限制，成為AI芯片的強大輔助。HBM3和HBM3e將成為AI服務(wù)器主流配置，預計HBM4將于2026年發(fā)布。全球HBM市場預計在2024年超百億美元。HBM采用TSV+Bumping和TCB鍵合方式，但散熱效率低下，海力士引入MR-MUF工藝改善。預計HBM4將采用混合鍵合Hybrid Bonding技術(shù)，3D封裝的核心是混合鍵合與TSV。

AI芯片架構(gòu)眾多，誰會主宰算力芯片？

智算中心的發(fā)展依托最新AI理論和計算架構(gòu)，以AI大模型和算力技術(shù)為核心。GPU主導算力芯片市場，AI信創(chuàng)推動國產(chǎn)算力。AI分布式計算市場由算力芯片、內(nèi)存和互聯(lián)設(shè)備組成。ChatGPT推動GPU需求，SK海力士HBM3產(chǎn)量售罄。CoWoS封裝技術(shù)集成HBM與處理器，臺積電領(lǐng)先封裝市場。AI算力需求推動高效電源技術(shù)發(fā)展，背面供電技術(shù)成為關(guān)鍵。

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案，加速人工智能發(fā)展

美光 HBM3E 比競品功耗低 30%，助力數(shù)據(jù)中心降低運營成本

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

HBM（高帶寬存儲）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲技術(shù)，通過TSV技術(shù)實現(xiàn)高帶寬和小體積。

產(chǎn)業(yè)丨價格暴漲500%，高階HBM市場來臨

隨著人工智能應(yīng)用的增長，高帶寬內(nèi)存HBM需求激增，價格飆升。SK海力士和三星電子等存儲大廠正在擴產(chǎn)以滿足市場需求，同時也在開發(fā)下一代HBM技術(shù)。