MRDIMM正在成為未來數(shù)據(jù)中心處理器的一項關鍵技術標準。
Rambus半導體IP產品管理總監(jiān)Nidish Kamath在接受至頂網獨家專訪時表示,由于AI、機器學習和高性能計算應用的普及,越來越需要HBM等高帶寬、低延遲的內存解決方案。
“Venado”超級計算機日前正式迎來啟動剪彩儀式,其技術根基源自2021年4月英偉達宣布的第一項數(shù)據(jù)中心級ARM服務器CPU計劃。而Venado本體的構建計劃則由洛斯·阿拉莫斯國家實驗室的研究員們于2022年5月公布,只是當時的相關細節(jié)還無法滿足我們對于速度和饋送性能的大膽想象。
東京工業(yè)大學的科學家們設計出一種新型3D DRAM棧,其頂部配有處理器,可提供比高帶寬內存(HBM)高出四倍的傳輸帶寬與僅五分之一的訪問功耗。
如今,用戶對設備的使用體驗、功能、外觀等要求正在變得越來越苛刻,這也使得智能家居市場的硬件性能開始飛速升級。而內存芯片作為智能家居設備不可或缺的關鍵組成部分,在終端產品中也開始承擔更加重要的作用。
隨著數(shù)據(jù)中心市場需求的持續(xù)增長,以及同期消費級設備受宏觀經濟低迷的拖累,今年服務器內存產品在DRAM總銷售容量方面有望超越移動設備內存。
很多用例受內存帶寬束縛久矣,相信不少朋友都被這方面問題引發(fā)的應用程序性能低下搞得頭痛欲裂。解決之道也分為兩條:用戶端可以認真挑選芯片,保證在CPU核心與內存帶寬的比例之間求取平衡;供應端則由芯片制造商和系統(tǒng)集成商提供針對性改進。
如果沒法以足夠快的速度獲取數(shù)據(jù)、以供計算引擎在特定時鐘周期內完成特定數(shù)據(jù)處理操作,那再強的向量或矩陣單元浮點運算性能又有啥用?很明顯,存儲跟不上,算力確實會后繼乏力。
暫時認為2023年存儲設備的出貨容量應該會有所增長,但實際還是取決于市場能否在明年初順利復蘇。
2014年,卡內基梅隆大學宣布發(fā)現(xiàn)一種存在于動態(tài)隨機儲存器DRAM,也就是現(xiàn)代數(shù)字設備使用的內存芯片上的漏洞。
隨著數(shù)據(jù)中心對人工智能和機器學習(AI/ML)的利用率越來越高,大量數(shù)據(jù)不斷被產生和消耗,這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲、移動和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。
穿戴式醫(yī)療技術市場日新月異,華邦的安全NOR Flash產品以及高可靠度、高容量的QspiNAND Flash在開發(fā)上搶得先機,OEM可以信賴華邦,持續(xù)選用其推出的全新產品類型和技術,滿足市場對安全、低成本程序代碼與數(shù)據(jù)儲存的最新需求。
近日,英特爾傲騰持久內存與英特爾開源分布式異步對象存儲(DAOS)解決方案相結合,一舉創(chuàng)造新的世界紀錄,并成功躍居Virtual Institute I/O IO-500榜單首位。
根據(jù)Gartner公布的最終結果,2019年全球半導體收入總計4191億美元,比2018年下滑12%。
下一代內存助力 AI 和 5G 應用,功耗更低,數(shù)據(jù)訪問速度更快。
2019年的Semicon大會上曝出不少有趣的消息。曾供職于英特爾、目前效力于Doller咨詢集團的Ed Doller表示,目前生產出的大多數(shù)晶體管都被用于內存技術領域,特別是DRAM與NAND閃存。
過去幾十年IT環(huán)境一直是以CPU為中心,現(xiàn)在隨著IT環(huán)境向著多元化發(fā)展,計算架構面臨CPU、GPU、NPU、FPGA、ASIC等加速優(yōu)化,存儲架構面臨DRAM、NVM、SSD、HDD等多元技術的升級。