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SK海力士 關鍵字列表
HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術對比

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術對比

HBM（高帶寬存儲）是一種多層DRAM Die垂直堆疊的存儲技術，通過TSV技術實現(xiàn)高帶寬和小體積。

2023年NAND發(fā)展概況：層數(shù)增加，QLC改進

2023年NAND發(fā)展概況：層數(shù)增加，QLC改進

對于NAND閃存存儲來說，2023年可謂過山車般跌宕起伏的一年。

DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領域

DRAM，速度很快：SK海力士邁向HBM3E領域

在美光第二代HBM3芯片亮相一個月后， SK海力士正在對一款HBM3E芯片進行采樣。

洛斯阿拉莫斯國家實驗室與SK海力士合作開發(fā)計算存儲SSD

洛斯阿拉莫斯國家實驗室與SK海力士合作開發(fā)計算存儲SSD

洛斯阿拉莫斯國家實驗室與SK海力士將在下周的閃存峰會上展示合作開發(fā)的計算存儲SSD，號稱能通過對鍵值存儲數(shù)據(jù)的索引將模擬分析速度提升三個數(shù)量級。

官宣：SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務，英特爾表示將更加關注差異化技術領域

官宣：SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務，英特爾表示將更加關注差異化技術領域

SK海力士和英特爾在韓國時間10月20日共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。

砰！SK海力士向企業(yè)SSD市場投下72層3D NAND重磅炸彈

砰！SK海力士向企業(yè)SSD市場投下72層3D NAND重磅炸彈

韓國閃存制造商大舉進軍企業(yè)級SSD市場。