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高帶寬內(nèi)存 關鍵字列表
SK海力士完成HBM4開發(fā)，為下一代GPU量產(chǎn)做準備

SK海力士完成HBM4開發(fā)，為下一代GPU量產(chǎn)做準備

韓國存儲巨頭SK海力士宣布完成HBM4開發(fā)并準備大規(guī)模量產(chǎn)，消息推動其股價上漲7%。隨著AMD和英偉達的下一代數(shù)據(jù)中心GPU將采用HBM4技術，高帶寬內(nèi)存已成為AI加速器的核心組件。SK海力士通過將I/O端子數(shù)量增至2048個，有效實現(xiàn)了帶寬翻倍，能效提升超過40%，運行速度達到10Gb/s。美光和三星也在積極推進HBM4產(chǎn)品開發(fā)。

美光科技成為先進AI領域的關鍵供應商

美光科技成為先進AI領域的關鍵供應商

在AI發(fā)展中，GPU備受關注，但AI訓練和推理還需要存儲和內(nèi)存來管理數(shù)據(jù)和模型。美光科技正迅速崛起為AI數(shù)據(jù)層的關鍵供應商。該公司在HBM3E和HBM4內(nèi)存技術方面取得突破，性能效率比競爭對手高30%，已成為AMD和英偉達下一代AI平臺的主要內(nèi)存供應商。美光還制定了2000億美元的制造擴張計劃，支持美國本土制造業(yè)發(fā)展。

四代HBM高帶寬內(nèi)存技術路線圖發(fā)布

四代HBM高帶寬內(nèi)存技術路線圖發(fā)布

韓國科學技術院研究團隊公布了HBM4至HBM8四代高帶寬內(nèi)存技術發(fā)展路線圖。HBM5將于2029年采用浸沒式冷卻技術，HBM7和HBM8將集成嵌入式冷卻。從HBM6開始將使用銅對銅直接鍵合技術。HBM8帶寬可達64TBps，堆棧容量提升至240GB，比HBM4提升50%。英偉達Feynman加速器計劃采用HBM5技術。

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領先的 HBM3E 解決方案，加速人工智能發(fā)展

美光 HBM3E 比競品功耗低 30%，助力數(shù)據(jù)中心降低運營成本

下一代英特爾Sapphire Rapids再現(xiàn)身，高帶寬內(nèi)存加持所向披靡

內(nèi)置高帶寬內(nèi)存（HBM）的Sapphire Rapids至強可擴展處理器進一步打造性能標桿；英特爾GPU、網(wǎng)絡和存儲能力豐富高性能計算產(chǎn)品組合