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SK海力士推出321層3D NAND技術(shù)搶占超大容量SSD市場(chǎng)
SK海力士宣布將采用321層3D NAND QLC技術(shù)生產(chǎn)超高容量、高性能AI服務(wù)器SSD。該公司開始量產(chǎn)全球首款超過300層的QLC 2Tb芯片，預(yù)計(jì)2026年上半年出貨。新產(chǎn)品采用6平面設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)傳輸速度提升一倍，寫入速度增長(zhǎng)56%，讀取性能提升18%，寫入功耗效率改善23%以上。這一技術(shù)遠(yuǎn)超競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的218層技術(shù)，將分階段推出PC驅(qū)動(dòng)器和企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品。
美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS，助力下一代智能手機(jī)設(shè)計(jì)搭載更大容量電池
美光通過專有固件功能提升數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用體驗(yàn)，進(jìn)一步鞏固在 UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
繼麒麟9000s處理器之后，TechInsights逆向工程掃描長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層QLC NAND
據(jù)報(bào)道，盡管受到美國(guó)的技術(shù)制裁，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）仍領(lǐng)先于所有其他NAND供應(yīng)商，推出了一款QLC（4bits/單元）格式的232層3D NAND芯片。
美光放大招：公布500+層3D NAND閃存發(fā)展路線圖
美光正在開發(fā)232層3D NAND，并就500層以上閃存制定發(fā)展路線圖。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。
“黑科技”加持，英特爾NAND蓄勢(shì)待發(fā)，未來可期
2021年4月底，記者走訪英特爾上海紫竹研發(fā)中心，了解到目前NAND部門正在為過渡和獨(dú)立運(yùn)營(yíng)做準(zhǔn)備，其中NAND銷售與營(yíng)銷、NAND業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)和規(guī)劃等各個(gè)方面的團(tuán)隊(duì)繼續(xù)扎根在紫竹研發(fā)中心。
英特爾存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)：傲騰技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
如今，內(nèi)存和存儲(chǔ)已成為與英特爾處理器業(yè)務(wù)同等重要的產(chǎn)品線，最新數(shù)據(jù)顯示，2020年Q1英特爾的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)銷售額同比增長(zhǎng)46%。
英特爾發(fā)布消息，144層閃存與第二代Optane開發(fā)計(jì)劃揭開神秘面紗
負(fù)責(zé)簡(jiǎn)報(bào)工作的英特爾NSG負(fù)責(zé)人Rob Crooke表示，144層3D NAND QLC SSD Keystone Harbor將于今年晚些時(shí)候投放市場(chǎng)。
讓NVMe發(fā)揮到極致，十年磨礪PBlaze5 920出鞘
今天能十年堅(jiān)持做一件事情的企業(yè)真是鳳毛麟角，而北京憶恒創(chuàng)源科技有限公司（Memblaze）十年來就堅(jiān)持做一件事，讓SSD固態(tài)盤發(fā)揮其真正的價(jià)值。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 2.0首秀IC China 2019，其第三代3D NAND閃存應(yīng)用該技術(shù)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球FMS（閃存峰會(huì)）上發(fā)布了Xtacking 架構(gòu)，并獲得大會(huì)最高榮譽(yù)“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。
2019年96層NAND技術(shù)發(fā)力，西部數(shù)據(jù)推出兩款數(shù)據(jù)中心NVMe SSD
今年可以說是96層NAND技術(shù)爆發(fā)的一年，三星、美光等在今年年初開始為全新SSD更換96層3D NAND存儲(chǔ)介質(zhì)以來
分析師指出，“勢(shì)不可擋”的中國(guó)NAND晶圓廠商YMTC將發(fā)布64層閃存顆粒，128層也將到來
中國(guó)NAND廠商揚(yáng)子存儲(chǔ)器技術(shù)公司（簡(jiǎn)稱YMTC）將在今年年底之前大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這意味著這一市場(chǎng)在2020年的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將變得更為激烈。
速度和容量融合！英特爾推出傲騰混合式固態(tài)盤！
英特爾發(fā)布了英特爾傲騰混合式固態(tài)盤的詳細(xì)信息，這款混合式固態(tài)盤集成了英特爾傲騰技術(shù)和英特爾 Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術(shù)。
2018閃存峰會(huì)：NAND制造商加快發(fā)展步伐
在今年的Flash Memory Summit閃存存儲(chǔ)峰會(huì)上，有四家成熟的3D NAND閃存制造商在他們的主題演講中展示了路線圖的一小部分。他們最新的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（YMTC）在與媒體的會(huì)面中，深入探討了技術(shù)和業(yè)務(wù)前景。
英特爾公布新款32 TB尺狀SSD，堪稱史上最高密集固態(tài)存儲(chǔ)方案
英特爾公司新近推出了一款針對(duì)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的新型尺狀閃存驅(qū)動(dòng)器，這亦成為目前市面上存儲(chǔ)密度最大的閃存驅(qū)動(dòng)器方案。
3D NAND閃存技術(shù)全面進(jìn)入96層和QLC時(shí)代
東芝與西部數(shù)據(jù)的合資閃存代工廠已經(jīng)開始制造96層3D NAND芯片，而兩家合作伙伴正在此基礎(chǔ)上積極生產(chǎn)四級(jí)單元（簡(jiǎn)稱QLC）產(chǎn)品。
閃存顆粒的發(fā)展步伐仍在繼續(xù)：三星將推出96層3D NAND芯片
三星公司在與磁盤驅(qū)動(dòng)器的抗?fàn)幃?dāng)中再次發(fā)力，宣布將推出90層以上3D NAND芯片產(chǎn)品，而1 Tbit與QLC（即四級(jí)單元）芯片也在積極開發(fā)當(dāng)中。
Memblaze發(fā)布新品NVMe SSD 滿足多個(gè)行業(yè)需求
時(shí)至今日，SSD的春風(fēng)已經(jīng)吹遍了科技領(lǐng)域的各個(gè)角落。業(yè)內(nèi)各大廠商都在迅速研發(fā)新品，以求在市場(chǎng)立于不敗之地。北京憶恒創(chuàng)源科技有限公司（Memblaze）作為業(yè)內(nèi)知名企業(yè)于近日在北京召開新品發(fā)布會(huì)，發(fā)布了兩款NVMe SSD新品……
三星30TB SSD怪獸問世 采用3D NAND技術(shù)
三星終于將其31TB SSD投入了生產(chǎn)，追趕上東芝同樣得天獨(dú)厚的SAS閃存封裝。
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