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嵌入式閃存 關(guān)鍵字列表
2021-08-26

2024年之前智能手機(jī)存儲(chǔ)已經(jīng)就緒

對(duì)于一款智能手機(jī)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品而言，1,000MB/s將是一個(gè)衡量的門檻，只有達(dá)到這樣的一個(gè)水準(zhǔn)，才能夠被稱為未來就緒的存儲(chǔ)產(chǎn)品。

西數(shù)發(fā)布面向高端智能手機(jī)的96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤

西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。