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通用內(nèi)存 關(guān)鍵字列表
ULTRARAM通用內(nèi)存技術(shù)邁向工業(yè)規(guī)模化生產(chǎn)

ULTRARAM通用內(nèi)存技術(shù)邁向工業(yè)規(guī)模化生產(chǎn)

Quinas科技完成ULTRARAM通用存儲(chǔ)器量產(chǎn)的關(guān)鍵步驟,該技術(shù)結(jié)合了DRAM的速度、NAND的非易失性和低功耗特性。IQE公司成功將蘭卡斯特大學(xué)開發(fā)的化合物半導(dǎo)體層擴(kuò)展到工業(yè)化工藝,開發(fā)出可擴(kuò)展存儲(chǔ)設(shè)備的鎵銻化物和鋁銻化物外延技術(shù)。ULTRARAM在100納秒內(nèi)切換,能耗低于1飛焦耳,有望徹底改變從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備到數(shù)據(jù)中心的整個(gè)數(shù)字技術(shù)格局。