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自適應(yīng)寫入技術(shù) 關(guān)鍵字列表
美光推出2600 QLC固態(tài)硬盤，實(shí)現(xiàn)TLC級寫入性能

美光推出2600 QLC固態(tài)硬盤，實(shí)現(xiàn)TLC級寫入性能

美光發(fā)布新款2600客戶端QLC固態(tài)硬盤，采用自適應(yīng)寫入技術(shù)動態(tài)優(yōu)化緩存，使QLC閃存達(dá)到TLC級寫入性能。該技術(shù)通過頂層SLC緩存處理新寫入數(shù)據(jù)，二級TLC緩存應(yīng)對SLC滿載情況，空閑時將數(shù)據(jù)遷移至QLC模式。硬盤無DRAM設(shè)計，采用Phison四通道控制器和美光276層3D NAND，提供512GB至2TB容量選擇，相比競品QLC和TLC固態(tài)硬盤，順序?qū)懭胨俣忍嵘?3%，隨機(jī)寫入速度提升49%。