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Kioxia 和 SanDisk 展示 332 層 3D NAND 未來技術
鎧俠和閃迪聯(lián)合預覽了更快的 218 層 3D NAND 技術，具有更高的接口速度和更好的能效。他們還透露了即將推出的 332 層技術。這些進展將大幅提升存儲性能和容量，以滿足人工智能等新興應用對數據存儲的巨大需求。新技術采用創(chuàng)新的 NAND 接口和芯片架構，有望推動閃存存儲技術邁向新的里程碑。
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