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算機(jī)芯片廠商英特爾正在重新構(gòu)想半導(dǎo)體創(chuàng)新的愿景。今天，英特爾公布了公司有史以來最雄心勃勃的路線圖。英特爾表示，新的芯片和封裝技術(shù)將幫助英特爾在2025年之前重新奪回處理器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

英特爾公司首席執(zhí)行官Pat Gelsinger今天在Intel Accelerated大會上表示，未來英特爾的產(chǎn)品創(chuàng)新將不再采用之前以納米進(jìn)行命名的慣例，相反會采用一種新的命名方法，Gelsinger稱其將“更準(zhǔn)確地反應(yīng)整個行業(yè)的工藝節(jié)點(diǎn)”。

他在這次大會直播中表示：“我們正在加速創(chuàng)新路線圖，確保我們有一個清晰的路線在2025年之前實(shí)現(xiàn)制程性能的領(lǐng)先。我們正在利用無與倫比的創(chuàng)新渠道來提供從晶體管到系統(tǒng)級的技術(shù)變革。我們將堅持不懈地追求摩爾定律和利用硅的魔力引領(lǐng)我們的創(chuàng)新之路。”

新的命名方案意味著英特爾第三代10納米芯片將被命名為“Intel 7”。盡管乍一看，似乎是英特爾以一種簡單直白的方式把自己即將推出的10納米芯片矛頭直接對準(zhǔn)了競爭對手的7納米產(chǎn)品，但有分析師表示事實(shí)并非如此。

眾所周知，英特爾10納米芯片或多或少與AMD的7納米芯片是相提并論的，因?yàn)閮烧叨疾捎昧祟愃频纳�產(chǎn)技術(shù)并且晶體管密度也比較接近。

Moor Insights & Strategy分析師Patrick Moorhead認(rèn)為：“英特爾在節(jié)點(diǎn)命名上比臺積電和三星更坦誠�？紤]到臺積電和三星的命名方式，我認(rèn)為英特爾的做法是更公平和可信的。目前還沒有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法來對這些節(jié)點(diǎn)進(jìn)行對比。”

英特爾表示，預(yù)計很快將推出Intel 7產(chǎn)品，之前預(yù)覽的Alder Lake處理器將于2021年底用于消費(fèi)級產(chǎn)品中，Sapphire Rapids數(shù)據(jù)中心芯片將于2022年推出，這些芯片都是英特爾10nm SuperFin——第二代10納米硅芯片——的下一代。

今天英特爾表示，Intel 7的每瓦性能將提高10%至15%。如果硬件制造商選擇不追求額外性能的話，Intel 7還可以提供更高的能效和更長的電池壽命。

英特爾路線圖上的第二個新產(chǎn)品是Intel 4，如果是按照舊命名方式的話該架構(gòu)應(yīng)該是7納米制程工藝。此前英特爾不得不把該芯片的發(fā)布時間從最初的2021年推遲到2023年，使其聲譽(yù)遭受了巨大的損失，但是現(xiàn)在，應(yīng)該正在重新回到軌道上來。

Intel 4將是下一個重大的技術(shù)飛躍，將采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)來制造處理器，目前英特爾競爭對手三星和臺積電的5納米產(chǎn)品中都已經(jīng)采用了該技術(shù)。

英特爾表示，Intel 4的每平方毫米晶體管密度大約是2-2.5億個，而臺積電當(dāng)前5納米節(jié)點(diǎn)上的晶體管密度約為每平方毫米1.713億個，這將使得每瓦性能比當(dāng)前這一代提高約20%。英特爾定于明年下半年量產(chǎn)Intel 4，首批產(chǎn)品預(yù)計將在2023年上市銷售。

英特爾路線圖上下一個產(chǎn)品是Intel 3，它將采用和Intel 4相同的架構(gòu)，但提供了各種優(yōu)化以提高性能。英特爾將在2023年下半年投產(chǎn)Intel 3芯片，預(yù)計采用該芯片的產(chǎn)品將在2024年上市。

繼續(xù)，事情就開始變得有趣了。英特爾表示，將進(jìn)入所謂的芯片設(shè)計“埃時代”（Ångstrom Era。埃是小于納米的測量單位，20埃等于2納米。Intel 20A將成為第一個以埃為單位測量的芯片，采用名為RibbonFET的全新架構(gòu)。

Gelsinger說，這是一種全新的晶體管技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更高的密度和更小的尺寸，還將采用一種“PowerVia”技術(shù)，讓硅晶片可以從芯片背面供電，而不是從晶圓正面進(jìn)行布線。

Gelsinger在大會期間表示，2024年開始提高產(chǎn)品的時候，高通將成為首批使用英特爾Ångstrom 20A工藝服務(wù)的客戶之一。

英特爾還展望了Intel 20A的下一代，據(jù)稱Intel 18A有望在2025年初開始生產(chǎn)，該芯片將對RibbonFET進(jìn)行改進(jìn)，帶來晶體管性能的又一重大提升。Intel 18A芯片將采用下一代High NA EUV技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)制造。

Pund-IT分析師Charles King表示，需要注意的是，納米工藝術(shù)語只關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)計的一個方面，并不能準(zhǔn)確反映芯片新技術(shù)的創(chuàng)新和改進(jìn)。

“對于客戶和最終用戶來說，最重要的是穩(wěn)定、可靠地交付新的和改進(jìn)的硅芯片功能。如果英特爾能夠兌現(xiàn)Gelsinger有關(guān)Intel 20A的承若，那么英特爾應(yīng)該可以繼續(xù)保持長期的市場領(lǐng)先地位，并重新獲得半導(dǎo)體開發(fā)和制造領(lǐng)域領(lǐng)先創(chuàng)新者的地位。”

Constellation Research分析師Holger Mueller表示，當(dāng)然有重要的一點(diǎn)需要記住，那就是英特爾仍然落后于競爭對手，因此很難在短期內(nèi)取得領(lǐng)先。“很高興看到英特爾能夠腳踏實(shí)地，將未來幾年的規(guī)劃仍然落點(diǎn)在10納米上。另一方面，如果競爭對手的7納米芯片展現(xiàn)出更高的效率，那么短期來說英特爾就會面臨更大的壓力。”

英特爾能否迎頭趕上并且重新占據(jù)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，這還有待觀察，而且很大程度上要取決于英特爾要避免10納米和7納米工藝制程的延遲，不過從今天英特爾公布的雄心勃勃的計劃中我們可以清楚地看出，英特爾是不會不戰(zhàn)而退的。