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AI啟示錄 第4期 2021/03/15

英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù)固態(tài)盤670p發(fā)布,更強(qiáng)性能,更持久耐用!

近日,英特爾正式推出基于144層QLC(四層單元)技術(shù)的客戶端固態(tài)盤——英特爾固態(tài)盤670p。英特爾固態(tài)盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù),能夠提供最高2TB的容量。

近日,英特爾正式推出基于144層QLC(四層單元)技術(shù)的客戶端固態(tài)盤——英特爾固態(tài)盤670p。英特爾固態(tài)盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術(shù),能夠提供最高2TB的容量。與上一代固態(tài)盤相比,與上一代英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤相比,670p提供更高的性能,包括2倍順序讀取和20%的耐久性提升。

英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲(chǔ)解決方案。能夠?yàn)槿粘S?jì)算和主流游戲提供顯著的價(jià)值。與上一代英特爾®QLC 3D NAND固態(tài)盤相比,670p提供更高的性能,包括2倍順序讀取和20%的耐久性提升。為滿足當(dāng)今最常見的計(jì)算需求,英特爾這款最新的客戶端硬盤同時(shí)針對(duì)低隊(duì)列深度和混合工作負(fù)載進(jìn)行了調(diào)優(yōu),實(shí)現(xiàn)了性能、成本和功耗的恰當(dāng)平衡。

過(guò)去十年來(lái),英特爾一直專注于開發(fā)QLC技術(shù),以滿足當(dāng)今PC存儲(chǔ)對(duì)性能和容量的雙重需求,包括頂級(jí)的存儲(chǔ)以及高效管理海量數(shù)據(jù)的能力。英特爾的QLC固態(tài)盤基于浮柵技術(shù)所打造,數(shù)據(jù)保持力是這一技術(shù)的一大關(guān)鍵性競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。英特爾固態(tài)盤670p的全新單元配置還以合理的價(jià)格為日常計(jì)算需求優(yōu)化了大容量存儲(chǔ),且有助于加快固態(tài)盤的普及。

英特爾 NAND產(chǎn)品與解決方案事業(yè)部客戶端戰(zhàn)略規(guī)劃與市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Avi Shetty分享了英特爾固態(tài)盤670p的三個(gè)主要?jiǎng)?chuàng)新。

首先,創(chuàng)新的技術(shù)工藝,最新的144層英特爾QLC 3D NAND技術(shù)以及經(jīng)過(guò)改進(jìn)的控制器固件和緩存算法來(lái)進(jìn)行工程設(shè)計(jì),這是獲得實(shí)際體驗(yàn)和優(yōu)化性能的關(guān)鍵。與上一代技術(shù)相比,44層英特爾QLC 3D NAND技術(shù)提供的存儲(chǔ)密度提高了50%。同時(shí)新技術(shù)基于浮動(dòng)?xùn)艠O架構(gòu),具有良好的PE閾值電壓窗口,單元之間有穩(wěn)定的電荷隔離,并能很好地保留數(shù)據(jù)。

其次,性能、可用性大幅度提升。與上一代固態(tài)盤相比,英特爾固態(tài)盤670p的讀取性能提高了2倍,隨機(jī)讀取性能提高了38%,時(shí)延降低多達(dá)50%。特別是耐用性得到了極大的提升。“從耐用性的角度來(lái)看,英特爾固態(tài)盤670p已經(jīng)將耐用性提高到每512GB寫入185 TB容量, 1 TB可提供370 TB的寫入容量,這才是真正的進(jìn)步。” Avi Shetty談到。

第三,,英特爾固態(tài)盤670p實(shí)現(xiàn) 了在成本、性能和功耗之間實(shí)現(xiàn)恰當(dāng)?shù)钠胶,?lái)滿足客戶需求并引領(lǐng)市場(chǎng)。

通過(guò)提供峰值性能、最高2TB的容量和增強(qiáng)的可靠性,英特爾固態(tài)盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲(chǔ)解決方案。滿足在日常計(jì)算、辦公、內(nèi)容創(chuàng)作、主流游戲這些應(yīng)用場(chǎng)景中,其耐久力規(guī)格遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了其他類型的客戶端負(fù)載的細(xì)分市場(chǎng)。

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