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Pure Storage今天宣布推出基于QLC閃存（是一種尚未在數(shù)據(jù)中心廣泛部署的固態(tài)內(nèi)存）的FlashArray//C存儲(chǔ)系統(tǒng)升級(jí)版。

該系統(tǒng)旨在取代傳統(tǒng)的混合陣列——一種結(jié)合了閃存和磁盤(pán)存儲(chǔ)的、被廣泛使用的存儲(chǔ)系統(tǒng)。Pure Storage認(rèn)為，這種硬件可以幫助企業(yè)更有效地運(yùn)行Tier 2工作負(fù)載，例如通常部署在混合陣列上的備份應(yīng)用。

Tier 2工作負(fù)載是對(duì)企業(yè)運(yùn)營(yíng)至關(guān)重要的一系列服務(wù)，但無(wú)需運(yùn)行在數(shù)據(jù)中心速度最快的硬件系統(tǒng)趕上，F(xiàn)lashArray//C正是專門(mén)為此類應(yīng)用設(shè)計(jì)的。Pure Storage最初設(shè)計(jì)的FlashArray//C使用的就是QLC，但去年發(fā)布的時(shí)候是不可用的，當(dāng)時(shí)Pure Storage承諾會(huì)在2020年增加對(duì)QLC的支持。

QLC閃存中的Quad-Level Cell的縮寫(xiě)。所有閃存芯片都是由硅單元構(gòu)成的，這些單元以電荷的形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，對(duì)應(yīng)1和0，一個(gè)單元中可以存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，取決于能夠保存多少個(gè)所謂的電荷狀態(tài)。QLC閃存的每個(gè)單元中可以保存16個(gè)電荷狀態(tài)，是目前能夠批量生產(chǎn)的容量最高的固態(tài)內(nèi)存。

但QLC芯片也有某些缺點(diǎn)，使其速度要慢于數(shù)據(jù)中心中采用的其他主流閃存。不過(guò)，QLC的高容量使其更適合于各種存儲(chǔ)密集型Tier 2工作負(fù)載，包括備份、商業(yè)智能和許多通用計(jì)算任務(wù)，這些都是Pure Storage有望通過(guò)此次升級(jí)FlashArray//C系統(tǒng)瞄準(zhǔn)的使用場(chǎng)景。

Pure Storage表示，F(xiàn)lashArray//C是業(yè)界第一個(gè)可以完全滿配QLC閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)。客戶可以選擇兩個(gè)QLC模塊：一個(gè)24.7 TB的模塊和一個(gè)密度更大的49 TB模塊，Pure Storage稱，這是目前市場(chǎng)上的最高容量。而且，F(xiàn)lashArray//C陣列可容納多個(gè)模塊。

Pure Storage表示，該系統(tǒng)可以降低運(yùn)行Tier 2工作負(fù)載的成本，“淘汰”掉用于此類應(yīng)用的傳統(tǒng)混合閃存和磁盤(pán)陣列。企業(yè)之所以選擇混合陣列，是因?yàn)榇疟P(pán)比閃存更便宜，混合在一起的系統(tǒng)成本效益總體上要高于全閃存系統(tǒng)。

但是在適當(dāng)?shù)膬r(jià)格點(diǎn)上，全閃存系統(tǒng)具有性能更高的優(yōu)勢(shì)。Pure Storage表示，F(xiàn)lashArray//C打消了客戶使用外部廠商混合陣列的需求，從而簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心的維護(hù)流程�，F(xiàn)在，他們可以將Pure Storage硬件用于運(yùn)行關(guān)鍵任務(wù)和Tier 2工作負(fù)載，這會(huì)將降低維護(hù)兩組完全獨(dú)立的存儲(chǔ)基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性。